5)反应性溅镀制备吸收膜：在第五真空镀膜室中，氩离子撞击靶材，撞击出来的铬离子与通入的氧气发生化学反应生成氧化铬，反应生成的氧化铬沉积在步骤4)制得的过渡膜的外表面上形成吸收膜；6)反应性溅镀制备抗反射膜：在第六真空镀膜室中，氩离子撞击靶材，撞击出来的硅离子与通入的氧气发生化学反应生成二氧化硅，反应生成的二氧化硅沉积在步骤5)制得的吸收膜的外表面上形成抗反射膜，完成后在吸热体的基材的外表面上制得包括6层的膜层。在本申请的一个实施例中，步骤1)中，靶材为铬靶，氩气流量为50～200sccm，氧气流量为10～200sccm，制得的强化膜的厚度为30～120nm。经检测，本申请制备的膜层的吸收率为93％～97％，比现有技术中膜层的吸收率提高了3％～9％。内蒙古下打光太阳光谱模拟工厂

本发明实施例的目的在于提供一种用于选择性吸收太阳光谱的膜层的制备方法。为解决上述的技术问题，本发明提供的技术方案为：一种用于选择性吸收太阳光谱的膜层的制备方法，包括以下依次进行的步骤：1)反应性溅镀制备强化膜：在***真空镀膜室中，氩离子撞击靶材，撞击出来的铬离子与通入的氧气发生化学反应生成氧化铬，反应生成的氧化铬沉积在吸热体的基材的外表面上形成强化膜；2)溅镀制备低发射率膜：在第二真空镀膜室中，氩离子撞击靶材，撞击出来的铜离子沉积在步骤1)制得的强化膜的外表面上形成低发射率膜；福建高级太阳光谱模拟销售一种用于选择性吸收太阳光谱的膜层的制备方法，包括以下依次进行的步骤。

本申请提供了一种用于选择性吸收太阳光谱的膜层的制备方法，吸热体由基材以及设置在基材的外表面上的膜层构成，膜层包括6层，从下到上依次为氧化铬材质的强化膜、铜材质的低发射率膜、氮化铬材质的缓冲膜、氮氧化铬、氮化铬以及氧化铬的混合物材质的过渡膜、氧化铬材质的吸收膜、二氧化硅材质的抗反射膜，其中强化膜、缓冲膜、过渡膜、吸收膜以及抗反射膜均为通过反应性溅就镀制备得到，铜材质的低发射率膜为通过直流溅镀制备得到；

例如，获取模块310、***计算模块320、第二计算模块330和第三计算模块340中的任意多个可以合并在一个模块中实现，或者其中的任意一个模块可以被拆分成多个模块。或者，这些模块中的一个或多个模块的至少部分功能可以与其他模块的至少部分功能相结合，并在一个模块中实现。根据本发明的实施例，获取模块310、***计算模块320、第二计算模块330及第三计算模块340中的至少一个可以至少被部分地实现为硬件电路，例如现场可编程门阵列(fpga)、可编程逻辑阵列(pla)、片上系统、基板上的系统、封装上的系统、**集成电路(asic)，或可以通过对电路进行集成或封装的任何其他的合理方式等硬件或固件来实现，或以软件、硬件以及固件三种实现方式中任意一种或以其中任意几种的适当组合来实现。或者，获取模块310、***计算模块320、第二计算模块330及第三计算模块340中的至少一个可以至少被部分地实现为计算机程序模块，当该计算机程序模块被运行时，可以执行相应的功能。反应性溅镀制备过渡膜：在第四真空镀膜室中，氩离子撞击靶材。

WTi-Al2O3金属陶瓷基太阳光谱选择性吸收涂层在600℃退火前后反射光谱变化图、微结构和热强化机理示意图   金属纳米粒子嵌入到陶瓷基体中组成的金属陶瓷薄膜是太阳光谱选择性吸收涂层的**工作层，其热稳定性和综合光学性能直接决定着整个涂层的光热转换效率。高温下，金属陶瓷膜内金属纳米粒子的团聚、长大、氧化及涂层内层间原子的扩散迁徙，往往会导致成分和微结构的变化，从而诱发涂层光学性能的衰减 (不可逆性)。如何解决上述问题，构建热稳定性优异、热发射率低且吸收率高的太阳光谱选择性吸收涂层，是光热技术应用所面临的重要材料基础问题。  撞击出来的硅离子与通入的氧气发生化学反应生成二氧化硅，反应生成的二氧化硅沉积在步骤。内蒙古AM1.5太阳光谱模拟工厂

反应性溅镀制备抗反射膜：在第六真空镀膜室中，氩离子撞击靶材。内蒙古下打光太阳光谱模拟工厂

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